Opis
Moduł FRAM (Ferroelectric RAM) to nowoczesna, nieulotna pamięć danych łącząca zalety pamięci SRAM (bardzo szybki zapis i odczyt) z trwałością pamięci Flash/EEPROM. Zastosowanie warstwy ferroelektrycznej zamiast klasycznego dielektryka sprawia, że dane są zachowywane bez zasilania, a jednocześnie mogą być zapisywane praktycznie natychmiast.
Prezentowany moduł FRAM komunikuje się przez magistralę I2C i doskonale nadaje się do projektów o niskim poborze mocy, rejestratorów danych (dataloggerów), buforowania danych oraz aplikacji z niestabilnym zasilaniem. W przeciwieństwie do EEPROM i Flash, pamięć FRAM nie wymaga obsługi stron i charakteryzuje się ekstremalnie wysoką liczbą cykli zapisu.
Właściwości
- Typ pamięci: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Pojemność: 256 kbit (32 kB)
- Interfejs komunikacyjny: I2C
- Maksymalna prędkość I2C: do 1 MHz
- Nielotność danych: do 95 lat (w temperaturze pokojowej)
- Trwałość: do 10¹³ cykli zapisu na każdy bajt
- Napięcie zasilania i logiki: 3 V lub 5 V (kompatybilność 5V)
- Brak ograniczeń stron pamięci (zapis bajt po bajcie)
- Wymiary: 15,5 × 20 × 2 mm
- Rozstaw otworów montażowych: 14 mm
- Masa: 1,2 g
- Forma: płytka typu breakout, przyjazna dla płytek stykowych
W zestawie
- Moduł pamięci FRAM I2C 256 kbit (32 kB) na płytce breakout
- Listwa goldpin 0.1” (męska) do samodzielnego przylutowania
