Opis
IRG4BC40S to tranzystor typu IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), który łączy zalety tranzystorów MOSFET i BJT, oferując wysoką sprawność oraz zdolność pracy przy dużych napięciach i prądach.
Układ został zaprojektowany do zastosowań wymagających szybkiego przełączania oraz wysokiej wydajności energetycznej. Dzięki napięciu kolektor–emiter do 600 V oraz zdolności przewodzenia prądu do 14 A, znajduje zastosowanie w układach sterowania silników, przetwornicach DC/DC, falownikach oraz zasilaczach impulsowych.
Obudowa TO-220 umożliwia łatwy montaż oraz skuteczne odprowadzanie ciepła przy użyciu radiatora
Właściwości
- Typ: IGBT
- Napięcie kolektor–emiter (Vce): 600 V
- Prąd kolektora (Ic): 14 A
- Obudowa: TO-220
- Niskie straty przewodzenia
- Wysoka szybkość przełączania
- Sterowanie napięciowe (jak MOSFET)
- Zastosowania: falowniki, sterowanie silników, przetwornice, zasilacze impulsowe
